晶振系列
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陶瓷霧化片 wuhuapian
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陶瓷晶振 taocijingzhen
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32.768K Clock crystal
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貼片晶振 SMDcrystal
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石英晶振 Quartz Crystal
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聲表面濾波器 Quartz Crystal
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聲表面諧振器 resonator
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陶瓷濾波器 taocilvboqi
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KDS晶振 KDS CRYSTAL
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精工晶振 SEIKO CRYSTAL
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村田晶振 muRata CRYSTAL
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西鐵城晶振 CITIZEN CRYSTAL
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愛普生晶振 EPSON CRYSTAL
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微孔霧化片 微孔霧化片
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臺灣加高晶體 H.ELE
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進口京瓷晶體 KYOCERA
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日本NDK晶體 進口NDK晶體
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日本大河晶體 RIVER
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美國CTS晶體 CTS石英晶體
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臺灣希華晶體 臺灣希華
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臺灣鴻星晶體 HOSONIC
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臺灣泰藝晶體 TAITIEN CRYSTAL
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臺灣亞陶晶體 百利通亞陶
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臺灣NSK晶體 NSK CRYSTAL
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瑪居禮晶振 臺灣瑪居禮晶振
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富士晶振 日本富士貼片晶振
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SHINSUNG晶振 韓國進口SHINSUNG晶振
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SMI晶振 日本SMI貼片晶振
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Lihom晶振 韓國Lihom晶振
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NAKA晶振 日本納卡株式會社晶振
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AKER晶振 臺灣安碁貼片晶振
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NKG晶振 NKG石英晶振
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NJR晶振 日本NJR晶振
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Sunny晶振 Sunny CRYSTAL
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Statek晶振 Statek貼片晶體
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Pletronics晶振 Pletronics CRYSTAL
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Jauch晶振 Jauch Crystal
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日蝕晶振 Ecliptek Crystal
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IDT晶振 IDT進口晶振
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格林雷晶振 Greenray恒溫晶振
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高利奇晶振 Golledge石英晶體振蕩器
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維管晶振 Vectron Crystal
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拉隆晶振 Raltron CRYSTAL
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瑞康晶振 Rakon石英晶體
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康納溫菲爾德晶振 ConnorWinfield Crystal
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ECS晶振 ECS CRYSTAL
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Abracon晶振 Abracon 石英振蕩器
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CTS晶振 西迪斯晶振
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SiTime晶振 SiTime可編碼振蕩器
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微晶晶振 Microcrystal Crystal
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AEK晶振 AEK CRYSTAL
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AEL晶振 AEL CRYSTAL
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Cardinal晶振 Cardinal貼片晶體
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Crystek晶振 Crystek石英晶振
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Fox晶振 Fox有源晶振
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Frequency晶振 Frequency Crystal
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GEYER晶振 GEYER CRYSTAL
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KVG晶振 KVG石英晶體
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ILSI晶振 ILSI CRYSTAL
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Euroquartz晶振 Euroquartz crystal
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MMDCOMP晶振 MMDCOMP貼片晶振
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MtronPTI晶振 MtronPTI晶體諧振器
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QANTEK晶振 QANTEK石英晶振
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QuartzCom晶振 QuartzCom石英晶體
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Quarztechnik晶振 Quarztechnik Crystal
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Suntsu晶振 Suntsu石英貼片晶振
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Transko晶振 Transko crystal
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Wi2Wi晶振 Wi2Wi Crystal
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Rubyquartz晶振 進口Rubyquartz CRYSTAL
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ACT晶振 ACT石英晶振
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Oscilent晶振 Oscilent CRYSTAL
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ITTI晶振 ITTI石英晶體諧振器
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MTI-milliren晶振 MTI Crystal
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PDI晶振 PDI CRYSTAL
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IQD晶振 IQD CRYSTAL
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Microchip晶振 Microchip crystal
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Silicon晶振 Silicon Crystal
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安德森晶振 Anderson Crystal
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富通晶振 Fortiming Crystal
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CORE晶振 CORE CRYSTAL
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NIPPON晶振 NIPPON石英晶體振蕩器
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NIC晶振 NIC Crystal
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QVS晶振 QVS CRYSTAL
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Bomar晶振 Bomar Crystal
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Bliley晶振 Bliley Crystal
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GED晶振 GED CRYSTAL
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FILTRONETICS晶振 FILTRONETICS CRYSTAL
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Standard晶振 Standard Crystal
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Q-Tech晶振 美國Q-Tech晶振
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Wenzel晶振 Wenzel Crystal
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NEL晶振 美國NEL晶振
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EM晶振 EM CRYSTAL
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PETERMANN晶振 PETERMANN CRYSTAL
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FCD-Tech晶振 荷蘭晶振FCD-Tech
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HEC晶振 HEC CRYSTAL
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FMI晶振 FMI CRYSTAL
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麥克羅比特晶振 Macrobizes Crystal
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AXTAL晶振 AXTAL CRYSTAL
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ARGO晶振 ARGO晶振公司是專業(yè)提供和設計波段頻率控制設備和微波無線通信零部件.我們還分銷日本,歐洲和美國的一些知名品牌零部件.我們致力于發(fā)展與計算機,IT和無線通信公司無任何界限的信息時代.我們秉承經(jīng)營者的踏實,誠懇的態(tài)度,互惠互利的精神,實現(xiàn)共贏的目標,以誠信為本,誠信為本,公平交易為宗旨,以誠信,勤勉,誠信,精神質(zhì)量第一,客戶滿意的經(jīng)營理念,將以優(yōu)良的產(chǎn)品質(zhì)量,優(yōu)惠的價格,優(yōu)質(zhì)的服務與您建立長期穩(wěn)定的合作關(guān)系,共創(chuàng)輝煌事業(yè).
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SKYWORKS晶振
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Renesas瑞薩晶振
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貼片石英晶振 SMD CRYSTAL
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貼片陶瓷晶振 SMD 陶振
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有源晶振 Oscillator
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石英晶體振蕩器 OSC石英晶體振蕩器
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壓控晶振 VCXO進口晶振
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壓控溫補晶振 VC-TCXO CRYSTAL
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恒溫晶振 OCXO有源晶振
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差分晶振 差分石英晶體振蕩器
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數(shù)碼產(chǎn)品
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醫(yī)療產(chǎn)品
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汽車產(chǎn)品
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移動產(chǎn)品
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智能家居
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網(wǎng)絡設備
- 規(guī)格型號:11577488
- 頻率:9.840MHZ-50.000MHZ
- 尺寸:3.2*2.5*075mm 詳細資料請查看PDF
- 產(chǎn)品描述:廣泛應用于照相機,藍牙耳機,音響,平板電腦,錄像機,收錄機,無線充電等小型化電子數(shù)碼產(chǎn)品。
NDK晶振,貼片晶振,NX3225GA晶振,NDK石英諧振器


NDK晶振,NX3225GA晶振,3225晶振,NDK石英諧振器
參數(shù):頻率范圍9.840MHZ-50.000MHZ
激勵電平: 10μW (Max. 200μW )
負載電容: 8PF
工作溫度: -40℃~+85℃
保存溫度: -40℃~+85℃
精度 +/-20ppm
等效串聯(lián)電阻:Refer to*1
尺寸:小型化薄款3.2*2.5*0.75
應用:汽車電子領域,無線電話,筆記本電腦,鍵盤鼠標,智能手機,衛(wèi)星導航等產(chǎn)品。
日本于2015年6月制定了公司治理準則,由此我們NDK迎來了兩位外部董事。加大強化相關(guān)經(jīng)營監(jiān)察機能、遵守法律,確保說明責任,迅速且適當?shù)毓夹畔ⅲ男协h(huán)境保全等的社會責任,而從使我們能繼續(xù)成為所有股份持有者的各位所信任和尊敬的企業(yè)。
在ADAS(先進駕駛輔助系統(tǒng))所使用的車載相機和倒車雷達、遠程信息處理等用途,晶體元器件的需求也呈現(xiàn)增加的趨勢。因此,我們會開發(fā)TCXO(溫補振蕩器)、ICXO(鐘用晶體振蕩器)、SAW器件等的車載用高信賴性產(chǎn)品并擴大其銷售。
NDK晶振,NX3225GA晶振,3225晶振,NDK石英諧振器,從前面的料號可看出這是一款3.2*2.5*0.75mm體積非常小的石英貼片晶振,并且有著四個腳表面陶瓷封裝的石英晶體,壓電陶瓷的用料可有效的控制溫度,在氣溫忽大忽小的時候能將溫度控制在標準的精度之內(nèi),擁有優(yōu)良的耐高溫特性,所以NX3225GA晶振常常用于汽車電子開發(fā)領域,所以也叫汽車電子用晶振。
NDK晶振型號 | NX3225GA晶振,進口貼片晶振 |
頻率范圍 | 9.840MHZ~50MHZ |
頻率公差(25℃) | ±20 ppm的,可指定 |
頻率穩(wěn)定度超過工作溫度范圍 | ±30 ppm的,可指定 |
操作溫度范圍 | -40-+ 85℃,可指定 |
并聯(lián)電容CO | 5pF Max. |
驅(qū)動電平 | 1-200μW(μW100典型) |
負載電容 | 8 pF,可指定 |
老化(25℃) | ±3 ppm /年最大。 |
存儲溫度范圍 | -40-+85℃ |
品尺寸圖.jpg)
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1.操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸石英晶振的表面。
2.使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用產(chǎn)品。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
3.激勵功率
在石英晶體諧振器上施加過多驅(qū)動力,會導致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當?shù)募罟β?(請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容)。
4.負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
5.負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調(diào)整,可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容)。
品工作條件.jpg)
1. 驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
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2. 振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
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3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。

系我們.jpg)
代理:EPSON,KDS,SEIKO,CITIZEN
電話:0755-27837162
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